晶体生长设计
- 版本 ：Minitab 21
晶体生长设计
一位材料科学家确定了可解释晶体生长率中的大多数变异性的四个因子。该科学家设计了一个中心复合响应曲面试验，以定义对应于晶体生长的优化条件。在创建此设计后，该科学家确定可用资源会将可包含的设计点数限制为 20。
您可以使用晶体生长设计来展示响应曲面的选择最优设计（D 最优性选项）。您可以使用晶体生长最优设计来展示响应曲面的选择最优设计（增强/改进设计和评估设计选项）。
| 工作表列 | 说明 |
|---|---|
| 标准顺序 | 以标准顺序运行的顺序（又称为 Yates 顺序）。 |
| 运行顺序 | 以随机顺序运行的顺序。 |
| 点类型 | 点类型：0 = 中心点，1 = 角点，-1 = 轴点。 |
| 区组 | 区组。此设计具有两个区组，表示此科学家进行 30 次运行所需的天数。 |
| A | 因子 A：晶体暴露于催化剂的时间。 |
| B | 因子 B：暴露仓中的温度。 |
| C | 因子 C：暴露仓中的压力。 |
| D | 因子 D：空气中催化剂的百分比。 |
| 优化点 | 最优设计点指示符：1 = 最优设计中的点，0 = 最优设计中不包含的点（仅在晶体生长最优设计数据集中）。 |